薄膜沉積是指在基材表面上形成一層薄而均勻的材料層的製程技術，主要應用於微電子、光學、能源及材料科學等領域廣泛應用。以下列舉幾種電子產業常用的幾種成膜方式與其可能形成的薄膜比較

常見的薄膜沉積方式包含:PVD物理氣相沉積、CVD化學氣相沉積、塗佈法、電鍍法

可能形成的薄膜種類:絕緣膜、金屬導體膜、半導體膜(僅CVD法可以)

*昂筠擁有PVD法的 卷對卷真空濺鍍製程 與電鍍法的水平鍍銅增厚製程，可以生產一系列電子產業用金屬箔、複合金屬箔、柔性高分子基材鍍金屬薄膜等材料，若有需求歡迎洽詢


 

薄膜沉積方式 (成膜方式)	PVD 物理氣相沉積	CVD 化學氣相沉積	電鍍法	塗佈法
基本技術	物理現象的應用(蒸鍍、濺鍍、離子佈植等)	化學氣相反應的應用 (激發方式:熱、電漿、光等)	電化學反應的應用(電解-在陰極金屬離子的還原)	液體的塗佈和硬化 (旋轉塗佈、浸漬塗佈、噴塗塗佈)
絕緣膜	SiO2,Al2O3,SiN、鐵電薄膜等 (需選擇適合的靶材進行濺鍍及反應性濺鍍)	SiO2、參雜氧化物、Si3N4、Ta2O5、Al2O3、鐵電薄膜、low k膜、以及其他	一	SiO2、參雜氧化物、鐵電薄膜、low k膜、聚合物膜等
金屬導體膜	鋁膜、鋁合金、銅膜、銅合金、 高熔點金屬、矽化物(WSi2等)、 氮化物(TiN等)、其他幾乎所有的金屬膜	高熔點金屬(鉬、鎢)、鋁膜、銅膜、矽化物(WSi2等)、氮化物(TiN等)以及其他	銅膜、金膜、鎳膜、鉻膜等	銅膜
半導體膜	一	矽(磊晶層)、多晶矽、非晶型矽	一	一
附註	只要選擇適用的靶材，幾乎所有的金屬、絕緣膜都可以形成。(濺鍍及反應性濺鍍)	只要原料可轉變為蒸汽，幾乎所有種類的膜都可形成。	*也可使用無電場的電鍍。 *鍍銅膜常用於組裝、印刷基板。 *鋁、鎢的電鍍以電化學而言是不可能的。	*包括塗佈、去除溶劑的工程、以及退火處理的工程。 又包括使溶劑中的原料分散或溶解兩種方式。