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溅镀/材料知识
常用的各种成膜方式比较与可能形成的薄膜
以下列举几种电子产业常用的几种成膜方式与其可能形成的薄膜比较成膜方式包含:PVD物理气相沉积、CVD化学气相沉积、涂布法、电镀法
可能形成的薄膜种类:绝缘膜、金属导体膜、半导体膜(仅CVD法可以)
*昂筠拥有PVD法的 卷对卷真空溅镀制程 与电镀法的水平镀铜增厚制程,可以生产一系列电子产业用金属箔、复合金属箔、柔性高分子基材镀金属薄膜等材料,若有需求欢迎洽询
成膜方式 | PVD物理气相沉积 | CVD化学气相沉积 | 电镀法 | 涂布法 |
基本技术 | 物理现象的应用(蒸镀、溅镀、离子布植等) | 化学气相反应的应用 (激发方式:热、电浆、光等) |
电化学反应的应用 (电解-在阴极金属离子的还原) |
液体的涂布和硬化 (旋转涂布、浸渍涂布、喷涂涂布) |
绝缘膜 | SiO2,Al2O3,SiN、铁电薄膜等 (需选择适合的靶材进行溅镀及反应性溅镀) |
SiO2、参杂氧化物、Si3N4、Ta2O5、Al2O3、铁电薄膜、low k膜、以及其他 | 一 | SiO2、参杂氧化物、铁电薄膜、low k膜、聚合物膜等 |
金属导体膜 | 铝膜、铝合金、铜膜、铜合金、 高熔点金属、硅化物(WSi2等)、 氮化物(TiN等)、其他几乎所有的金属膜 |
高熔点金属(钼、钨)、铝膜、铜膜、硅化物(WSi2等)、氮化物(TiN等)以及其他 | 铜膜、金膜、镍膜、铬膜等 | 铜膜 |
半导体膜 | 一 | 硅(磊晶层)、多晶硅、非晶型硅 | 一 | 一 |
附注 | 只要选择适用的靶材,几乎所有的金属、绝缘膜都可以形成。(溅镀及反应性溅镀) | 只要原料可转变为蒸汽,几乎所有种类的膜都可形成。 | *也可使用无电场的电镀。 *镀铜膜常用于组装、印刷基板。 *铝、钨的电镀以电化学而言是不可能的。 |
*包括涂布、去除溶剂的工程、以及退火处理的工程。 又包括使溶剂中的原料分散或溶解两种方式。 |