スパッタリング法で作製したFCCLは、化学銅還元プロセスにおける歩留まり不良の解決に役立つ

Topnano's Materials ── スパッタリング2層無接着剤型 FCCL (2µm〜18µm)

【極薄銅を精密カスタム、減銅プロセスとの決別】

なぜ「減銅法」は淘汰されつつあるのか？今、Topnano's が最適な解決策である理由

微細配線（ファインピッチ）化および高周波・高速伝送が求められる現代において、従来の厚銅 FCCL を化学的に薄く削る「化学減銅法（マイクロエッチング）」を採用している FPC メーカー様は、歩留まりの低下と、目に見えない莫大なコストに直面しています。

Topnano's は、高度なナノレベル・スパッタリング技術（Sputtering）と精密電気めっき技術を駆使し、2µm から 18µm までのシームレスなラインナップをご提供。物理的堆積プロセスによる「精密な膜厚形成」により、従来の化学減銅法が抱える4大欠陥を根本から克服します。

 

❌ 欠陥 1：銅厚のバラつき（公差大）によるインピーダンス制御の困難さ

➡️ Topnano's：原子レベルのスパッタで超精密なインピーダンス管理を実現

• 減銅法の課題： 化学エッチングは、薬水の劣化やスプレーノズルの圧力差などの影響を受けやすく、膜厚公差（TTV）が著しく悪化します。これにより、後続のパターン形成時に「過剰エッチング（オーバーエッチ）」や「エッチング残り」が発生し、高周波信号におけるインピーダンス制御（Impedance Control）を大きく乱す原因になります。

• Topnano's の強み： 当社はシード層（Seed Layer）を原子レベルで均一に堆積させます。2µm、5µm、あるいは 12µm など、どの厚さであっても極めて均一な銅厚分布を実現。高周波伝送のインピーダンスを設計値通りに完全追従させます。

 

❌ 欠陥 2：応力解放による基板の収縮・変形

➡️ Topnano's：物理堆積プロセスにより、抜群の寸法安定性を維持

• 減銅法の課題： 厚い銅箔を化学的に無理やり削り薄くすることは、PI（ポリイミド）フィルムと銅箔の間に保たれていた「内部応力のバランス」を崩す原因になります。その結果、基板に深刻なカール（反り）や寸法変化（収縮・膨張）が発生し、多層基板の露光アライメント（合わせ精度）における歩留まりを著しく低下させます。

• Topnano's の強み： 当社のスパッタリングプロセスは完全な「無接着剤型」であり、高温プレスによる熱応力が一切かかりません。工場出荷時の状態で最適な応力バランスを維持しているため、寸法安定性が抜群に高く、大型かつ高密度の微細配線プロセスに最適です。

 

❌ 欠陥 3：銅面粗さの破壊による密着不良と信号損失

➡️ Topnano's：超平滑性と高密着性（ピール強度）を極限で両立

• 減銅法の課題： 化学減銅は、元の銅箔が持つ精密な低粗度構造（VLPやHVLP）をいとも簡単に破壊してしまいます。表面が平滑になりすぎると、ドライフィルムやソルダーレジストが剥がれたり浮いたり（密着不良・発泡）しやすくなります。逆に、エッチング面が不均一で粗くなると、高周波における表皮効果（Skin Effect）が増大し、伝送損失が大幅に増加します。

• Topnano's の強み： 独自のプラズマ表面処理技術およびバリア層（タイレイヤー）技術により、極めて低い表面粗さ（Low Rz）を維持しながら、抜群のピール強度（引き剥がし強さ）を確保。細線回路の密着性と、超低損失な高周波伝送を同時にクリアします。

 

❌ 欠陥 4：材料の無駄遣いと高額な廃水処理コスト

➡️ Topnano's：オーダーメイド厚で環境負荷少ないの生産プロセスを実現

• 減銅法の課題： 12µm や 18µm の厚銅を購入したにもかかわらず、その大部分をエッチング液で溶かして捨てる行為は、文字通り「お札を廃水に流している」ようなものです。さらに、高濃度銅含有廃水やスラッジ（汚泥）が大量に発生するため、企業には莫大な環境処理コストと法規制、そして脱炭素（CO2排出削減）のプレッシャーが重くのしかかります。

• Topnano's の強み：当社は、2µm / 3µm / 5µm / 8µm / 12µm / 18µm の豊富な厚みをラインナップ。必要な分だけを精密に形成して提供するため、お客様は「減銅用ケミカル」の購入費用や過酷な廃水処理の手間から完全に解放され、工場全体の生産効率向上に直結します。