一般的な成膜方法と形成可能な膜の比較

薄膜堆積とは、基板の表面に薄く均一な材料層を形成するプロセス技術のことです。マイクロエレクトロニクス、光学、エネルギー、材料科学の分野で広く使用されています。以下は、エレクトロニクス業界で一般的なフィルム形成方法と、それらのフィルム形成の比較です。

一般的な薄膜堆積法には、PVD物理蒸着法、CVD化学蒸着法、コーティング法、電気メッキ法などがある。

薄膜の種類：絶縁膜、金属導体膜、半導体膜（CVD法のみ使用可能）

*Topnano社は、PVDを使用したロールツーロール真空スパッタリングプロセスと電気めっきを使用した水平銅めっき厚膜プロセスを備えており、電子産業向けのフレキシブルポリマー基板上の一連の金属箔、複合金属箔、金属フィルムを生産できます。ご要望がございましたら、お気軽にお問い合わせください。
 

薄膜堆積方法 (成膜方式)	PVD 物理蒸着法	CVD 化学蒸着	電気メッキ	コーティング方法
基礎技術	物理現象の応用（蒸発、スパッタリング、イオン注入など）	化学反応を利用してめっき被膜を作る乾式めっき技術です （励起方式：熱、プラズマ、光など）	電気化学反応の応用（電気分解-カソードでの金属イオンの還元）	液体コーティングと硬化 （スピンコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング）
絶縁フィルム	SiO2,Al2O3,SiN、強誘電体薄膜等 （スパッタリングや反応性スパッタリングに適したターゲット材料を選択する必要がある）	SiO2、酸化物、Si3N4、Ta2O5、Al2O3、強誘電体薄膜、low k膜、その他	一	SiO2、酸化物、強誘電体薄膜、low k膜、ポリマーフィルムなど
金属導体フィルム	アルミニウムフィルム、アルミニウム合金、銅フィルム、銅合金、高融点金属、シリサイド（WSi2など）、窒化物（TiNなど）、その他ほぼすべての金属膜	高融点金属（モリブデン、タングステン）、アルミニウム膜、銅膜、シリサイド（WSi2等）、窒化物（TiN等）等	銅膜、金膜、ニッケル膜、クロム膜など	銅膜
半導体フィルム	一	シリコン（エピタキシャル層）、多結晶シリコン、アモルファスシリコン	一	一
注記	適切なターゲット材料を選択すれば、ほぼすべての金属膜や絶縁膜を形成できます。 （スパッタリングと反応性スパッタリング）	原料を蒸気に変換できる限り、ほぼあらゆるタイプの膜を形成できます。	※電界を使わない電気めっきも可能です。 ※銅メッキは、組立基板やプリント基板などによく使用されます。 ※アルミニウムとタングステンの電気メッキは電気化学的に不可能です。	※コーテ​​ィング、溶剤除去、アニール処理を含みます。 また、原料を溶媒に分散させる方法と溶解させる方法の 2 つがあります。